casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GI822-E3/73

| Número da peça de fabricante | GI822-E3/73 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-GI822-E3/73 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| GI822-E3/73 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 200ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacitância @ Vr, F | 300pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | P600, Axial |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | P600 |
| Temperatura de funcionamento - junção | -50°C ~ 150°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GI822-E3/73 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | GI822-E3/73-FT |

1N4150W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4150W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151W-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4151W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4448W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation

XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.

APA600-PQG208I
Microsemi Corporation

EP1S10F484C5N
Intel

EP1S10F484C6
Intel

A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation

LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U3F45I2LG
Intel

5CGXFC4C6M13C7N
Intel

EP3C55F780C7
Intel