casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 1N4150W-G3-18
Número da peça de fabricante | 1N4150W-G3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-1N4150W-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N4150W-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitância @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4150W-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N4150W-G3-18-FT |
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
M3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MI3035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MI3045S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel