casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ6V8B-HE3-18
Número da peça de fabricante | GDZ6V8B-HE3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-GDZ6V8B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V8B-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 3.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V8B-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDZ6V8B-HE3-18-FT |
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V8000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQI
Microchip Technology
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGXEA7K3F40I3
Intel
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3SG
Intel