casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ30B-G3-18

| Número da peça de fabricante | GDZ30B-G3-18 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-GDZ30B-G3-18 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| GDZ30B-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
| Tolerância | ±4% |
| Potência - Max | 200mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 23V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GDZ30B-G3-18 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | GDZ30B-G3-18-FT |

GDZ12B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ12B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ12B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ12B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ12B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ12B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ12B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ13B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ13B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GDZ13B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.

EPF10K10ATC100-3
Intel

EP3SE50F484C4N
Intel

M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation

A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation

LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX057K2F35I2SG
Intel

5AGXMB7G6F35C6N
Intel