casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ2V2B-HG3-18
Número da peça de fabricante | GDZ2V2B-HG3-18 |
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Número da peça futura | FT-GDZ2V2B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V2B-HG3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 2.2V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 120µA @ 700mV |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V2B-HG3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDZ2V2B-HG3-18-FT |
BZX384C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6E22C9LN
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7VX485T-2FF1157I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
10AX115U3F45I2SGE2
Intel
EP20K400ERC240-1
Intel