casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ10B-HE3-18

| Número da peça de fabricante | GDZ10B-HE3-18 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-GDZ10B-HE3-18 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| GDZ10B-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
| Tolerância | ±4% |
| Potência - Max | 200mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 7V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GDZ10B-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | GDZ10B-HE3-18-FT |

BZX384C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V3-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZX384C3V3-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC4013E-1PQ208C
Xilinx Inc.

XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.

LCMXO1200C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

A3P250L-1VQ100I
Microsemi Corporation

AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation

EP3SL200F1517C3N
Intel

5SGSMD6N3F45I4N
Intel

A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation

AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation

EP4SGX230FF35C3ES
Intel