casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBPC5010M T0G
Número da peça de fabricante | GBPC5010M T0G |
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Número da peça futura | FT-GBPC5010M T0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBPC5010M T0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 25A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | QC Terminal |
Pacote / caso | 4-Square, GBPC40-M |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBPC40-M |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010M T0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBPC5010M T0G-FT |
B2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division
B4S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMB4S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMB2S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2S/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2S45
Vishay Semiconductor Diodes Division
RMB2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBPC3504W-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GBPC3512W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel