casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / B2S-E3/80
Número da peça de fabricante | B2S-E3/80 |
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Número da peça futura | FT-B2S-E3/80 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B2S-E3/80 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 500mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 500mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-269AA (MBS) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B2S-E3/80 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B2S-E3/80-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
Texas Instruments
UC2610N
Texas Instruments
UC2610NG4
Texas Instruments
UC3610NG4
Texas Instruments
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel