casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBL10-E3/51
Número da peça de fabricante | GBL10-E3/51 |
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Número da peça futura | FT-GBL10-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBL10-E3/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBL |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBL |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10-E3/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBL10-E3/51-FT |
GBU8B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel