casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / G3SBA80-M3/51

| Número da peça de fabricante | G3SBA80-M3/51 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-G3SBA80-M3/51 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| G3SBA80-M3/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 2.3A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| G3SBA80-M3/51 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | G3SBA80-M3/51-FT |

GSIB15A20N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A40-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A40N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A80N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2040-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2040N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2060-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.

XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.

M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation

LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP3C25U256I7N
Intel

5SGXMBBR2H43C2N
Intel

LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX125EF35C4N
Intel