Número da peça de fabricante | GBJ806 |
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Número da peça futura | FT-GBJ806 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ806 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 4A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBJ |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ806 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ806-FT |
KBP01G
Diodes Incorporated
GBU801
Diodes Incorporated
GBU1006
Diodes Incorporated
GBU608
Diodes Incorporated
GBU802
Diodes Incorporated
GBU1004
Diodes Incorporated
GBU410
Diodes Incorporated
GBU602
Diodes Incorporated
GBU806
Diodes Incorporated
GBU4005
Diodes Incorporated
LFEC1E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016ATC100-2
Intel
EP4CE22F17C8LN
Intel
EPF10K100EFC256-2X
Intel
EP3SE110F1152I4
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL060V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40I1SG
Intel