Número da peça de fabricante | GBU1006 |
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Número da peça futura | FT-GBU1006 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU1006 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1006 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU1006-FT |
GBPC1208W
ON Semiconductor
GBPC1501W
ON Semiconductor
GBPC3501W
ON Semiconductor
GBPC1506W
ON Semiconductor
GBPC12005W
ON Semiconductor
GBPC1202W
ON Semiconductor
DF005M
ON Semiconductor
DFB20100F162
ON Semiconductor
MB10S-13
Diodes Incorporated
MB10F-13
Diodes Incorporated
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel