casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ2508TB
Número da peça de fabricante | GBJ2508TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ2508TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ2508TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ2508TB-FT |
GBU607HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU801HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel