casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU803HD2G
Número da peça de fabricante | GBU803HD2G |
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Número da peça futura | FT-GBU803HD2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
GBU803HD2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 8A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU803HD2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU803HD2G-FT |
RABS15M REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS107G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS203G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15JHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1D RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel