casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ1002TB
Número da peça de fabricante | GBJ1002TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ1002TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ1002TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1002TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ1002TB-FT |
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU605 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1006 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU2505 D2
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF8282ATC100-4
Intel
EP1M120F484C7
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5SGXEB6R3F40C2N
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LFXP2-30E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484C
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5CGXFC9A6U19C7N
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EP2S90F1508I4N
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EP2SGX30DF780I4
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EPF10K30AQI240-3
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5SGSMD3H2F35C2L
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