casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBU1006 D2G
Número da peça de fabricante | GBU1006 D2G |
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Número da peça futura | FT-GBU1006 D2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU1006 D2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 15A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1006 D2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU1006 D2G-FT |
YBS2207G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS8 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS205G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS157G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS6 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS207G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
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EP2AGZ225HF40I3N
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5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
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EP3SE80F1152I4L
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AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel