casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / GBJ1001TB
Número da peça de fabricante | GBJ1001TB |
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Número da peça futura | FT-GBJ1001TB |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBJ1001TB Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-ESIP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBJ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ1001TB Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBJ1001TB-FT |
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS8HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU607 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU407 D2G
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GBU405 D2G
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GBU605 D2G
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GBU807 D2G
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GBU406 D2G
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GBU1006 D2G
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LFXP2-8E-6TN144I
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A3P125-2TQG144I
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AGLN060V2-ZCSG81
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A3P600-1FG484I
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A42MX36-2PQG208
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LFE5UM-85F-7BG756C
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EP2C20F484C6
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EP4SGX360NF45I4
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A42MX16-1TQG176
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EPF10K10AQI208-3
Intel