casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / GB10SLT12-252
Número da peça de fabricante | GB10SLT12-252 |
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Número da peça futura | FT-GB10SLT12-252 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GB10SLT12-252 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 520pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GB10SLT12-252 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GB10SLT12-252-FT |
IDDD16G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDDD20G65C6XTMA1
Infineon Technologies
IDW40E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW15E65D2FKSA1
Infineon Technologies
IDW40G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW75E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
IDW40E65D1FKSA1
Infineon Technologies
IDW100E60FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E65D1FKSA1
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel