casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / G2SB80-E3/51
Número da peça de fabricante | G2SB80-E3/51 |
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Número da peça futura | FT-G2SB80-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
G2SB80-E3/51 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 750mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBL |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBL |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
G2SB80-E3/51 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | G2SB80-E3/51-FT |
G3SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8282ATC100-4
Intel
EP1M120F484C7
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
LFXP2-30E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9A6U19C7N
Intel
EP2S90F1508I4N
Intel
EP2SGX30DF780I4
Intel
EPF10K30AQI240-3
Intel
5SGSMD3H2F35C2L
Intel