casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FZ600R12KP4HOSA1
Número da peça de fabricante | FZ600R12KP4HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FZ600R12KP4HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FZ600R12KP4HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 600A |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 42nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FZ600R12KP4HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FZ600R12KP4HOSA1-FT |
FS35R12W1T4BOMA1
Infineon Technologies
FS3L25R12W2H3B11BPSA1
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FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
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FS3L50R07W2H3B11BPSA1
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FS3L50R07W2H3FB11BPSA1
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XC6SLX75-3CSG484C
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XC2S30-5VQG100I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456C
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Microsemi Corporation
EP1S20F484C7N
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5SGSED8K3F40C2L
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5SGXMA7N2F45I3N
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Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I3L
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