casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS450R12OE4BOSA1
Número da peça de fabricante | FS450R12OE4BOSA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-FS450R12OE4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS450R12OE4BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 660A |
Potência - Max | 2250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 450A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS450R12OE4BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS450R12OE4BOSA1-FT |
FP25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
FP25R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
FP25R12W2T4BOMA1
Infineon Technologies
FP30R06W1E3B11BOMA1
Infineon Technologies
FP30R06W1E3BOMA1
Infineon Technologies
FP30R06YE3B4BOMA1
Infineon Technologies
FP30R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
FP30R07U1E4BPSA1
Infineon Technologies
FP35R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FP35R12U1T4BPSA1
Infineon Technologies
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel