casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS150R17N3E4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FS150R17N3E4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS150R17N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS150R17N3E4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 150A |
Potência - Max | 835W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 150A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 13.5nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS150R17N3E4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS150R17N3E4B11BOSA1-FT |
FMG2G150US60
ON Semiconductor
FMG2G150US60E
ON Semiconductor
FMG2G200US60
ON Semiconductor
FMG2G300LS60E
ON Semiconductor
FMG2G300US60
ON Semiconductor
FMG2G300US60E
ON Semiconductor
FMG2G400LS60
ON Semiconductor
FMG2G400US60
ON Semiconductor
FMG2G50US120
ON Semiconductor
FMG2G50US60
ON Semiconductor
EP2C8T144I8N
Intel
APA300-FG256M
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F23C7N
Intel
10AX115U4F45I3LG
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
EP20K100EFC324-2N
Intel