casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS100R12KT4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FS100R12KT4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS100R12KT4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
FS100R12KT4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 515W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.3nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R12KT4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS100R12KT4B11BOSA1-FT |
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A42MX16-3PQ208
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F23C7N
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10AX115U4F45I3LG
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP2SGX130GF40C5NES
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EP20K100EFC324-2N
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