casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF600R12ME4AB11BOSA1
Número da peça de fabricante | FF600R12ME4AB11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF600R12ME4AB11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FF600R12ME4AB11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 3350W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 3mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 37nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF600R12ME4AB11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF600R12ME4AB11BOSA1-FT |
FD600R12KF4NOSA1
Infineon Technologies
FD800R17KF6CB2NOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KF2CKNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KF2CNOSA1
Infineon Technologies
FD800R33KL2CKB5NOSA1
Infineon Technologies
FD800R45KL3KB5NPSA1
Infineon Technologies
FF1000R17IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF100R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
FF1200R12IE5PBPSA1
Infineon Technologies
FF1200R17IP5BPSA1
Infineon Technologies
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3C40U484I7
Intel
5SGXEA7N1F40C2
Intel
10CX220YF672E5G
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
Intel