casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS100R07N3E4BOSA1
Número da peça de fabricante | FS100R07N3E4BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS100R07N3E4BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS100R07N3E4BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 335W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R07N3E4BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS100R07N3E4BOSA1-FT |
FF45R12W1J1B11BPSA1
Infineon Technologies
FF500R17KE4BOSA1
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FF600R12ME4CPB11BPSA1
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EP4SGX230KF40I4N
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EP3SL150F1152C3
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XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
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LFXP6E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YF780I6G
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EP2S130F780I4N
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