casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FS100R07N3E4B11BOSA1
Número da peça de fabricante | FS100R07N3E4B11BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FS100R07N3E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FS100R07N3E4B11BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | Three Phase Inverter |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100A |
Potência - Max | 335W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R07N3E4B11BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FS100R07N3E4B11BOSA1-FT |
FF450R33T3E3P6BPMA1
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XC3S400-4TQG144I
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XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
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5SGXEA7K3F40C2
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5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel