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ON Semiconductor FQPF9N25CYDTU

Número da peça MFG
FQPF9N25CYDTU
Quantidade disponível
44080 Peças
Preço de referência
USD 0.748312
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
QFET® MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FQPF9N25CYDTU.pdf
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FQPF9N25CYDTU Especificações

Número da peça de fabricante FQPF9N25CYDTU
Número da peça futura FT-FQPF9N25CYDTU
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series QFET®
FQPF9N25CYDTU Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 38W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-220F-3 (Y-Forming)
Pacote / caso TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF9N25CYDTU Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FQPF9N25CYDTU-FT

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