casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF30N06L
Número da peça de fabricante | FQPF30N06L |
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Número da peça futura | FT-FQPF30N06L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF30N06L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22.5A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 38W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF30N06L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF30N06L-FT |
GP1M012A060H
Global Power Technologies Group
GP1M013A050H
Global Power Technologies Group
GP1M015A050H
Global Power Technologies Group
GP1M016A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M016A060H
Global Power Technologies Group
GP1M018A020HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
GP2M004A065HG
Global Power Technologies Group
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel