casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQPF18N20V2YDTU
Número da peça de fabricante | FQPF18N20V2YDTU |
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Número da peça futura | FT-FQPF18N20V2YDTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQPF18N20V2YDTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 40W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF18N20V2YDTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQPF18N20V2YDTU-FT |
FQI7N10LTU
ON Semiconductor
FQI7N10TU
ON Semiconductor
FQI7P06TU
ON Semiconductor
FQI8N60CTU
ON Semiconductor
FQI8P10TU
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FQI9N08LTU
ON Semiconductor
FQI9N08TU
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FQI9N15TU
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FQI9N25CTU
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FQI9N50CTU
ON Semiconductor
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
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LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
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EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation