casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQD5N20LTM
Número da peça de fabricante | FQD5N20LTM |
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Número da peça futura | FT-FQD5N20LTM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQD5N20LTM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-Pak |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD5N20LTM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQD5N20LTM-FT |
FDD86367-F085
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ON Semiconductor
FDD14AN06LA0-F085
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FDD5810-F085
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FDD86369-F085
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IRFR9024NPBF
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IXFY5N50P3
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IXFY8N65X2
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FDD2670
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IXTY02N120P
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ICE5LP4K-CM36ITR50
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AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel