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ON Semiconductor FDD86367-F085

Name: FDD86367-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD86367-F085
Price: 0.570664 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (194 reviews)

Número da peça MFG: FDD86367-F085

Quantidade disponível: 18380 Peças

Preço de referência: USD 0.570664

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fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FDD86367-F085.pdf

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FDD86367-F085 Especificações

Número da peça de fabricante	FDD86367-F085
Número da peça futura	FT-FDD86367-F085
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDD86367-F085 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4840pF @ 40V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	227W (Tj)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	D-PAK (TO-252)
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD86367-F085 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FDD86367-F085-FT

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