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ON Semiconductor FQD4P25TM-WS

Número da peça MFG
FQD4P25TM-WS
Quantidade disponível
71740 Peças
Preço de referência
USD 0.31004
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Data de envio
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fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
QFET® MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
FQD4P25TM-WS.pdf
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FQD4P25TM-WS Especificações

Número da peça de fabricante FQD4P25TM-WS
Número da peça futura FT-FQD4P25TM-WS
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series QFET®
FQD4P25TM-WS Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D-Pak
Pacote / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD4P25TM-WS Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição FQD4P25TM-WS-FT

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