casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FQB2N50TM
Número da peça de fabricante | FQB2N50TM |
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Número da peça futura | FT-FQB2N50TM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | QFET® |
FQB2N50TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 2.1A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 Ohm @ 1.05A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQB2N50TM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FQB2N50TM-FT |
FDB86563-F085
ON Semiconductor
FDB8896
ON Semiconductor
FQB27N25TM-F085
ON Semiconductor
FQB33N10LTM
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FQB33N10TM
ON Semiconductor
FQB34N20LTM
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FQB34N20TM-AM002
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FQB4N80TM
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FQB50N06TM
ON Semiconductor
FQB7N60TM
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel