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ON Semiconductor FQB4N80TM
- Número da peça MFG
- FQB4N80TM
- Quantidade disponível
- 98150 Peças
- Preço de referência
- USD 0.726752
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- ON Semiconductor
- Descrição breve
- QFET® MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- FQB4N80TM.pdf
FQB4N80TM Especificações
| Número da peça de fabricante | FQB4N80TM |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FQB4N80TM |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | QFET® |
| FQB4N80TM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 800V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 880pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.13W (Ta), 130W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FQB4N80TM Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FQB4N80TM-FT |
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