casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Matrizes / FII50-12E
Número da peça de fabricante | FII50-12E |
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Número da peça futura | FT-FII50-12E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FII50-12E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 50A |
Potência - Max | 200W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 30A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 400µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | i4-Pac™-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FII50-12E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FII50-12E-FT |
FII40-06D
IXYS
EPF10K30ETC144-1
Intel
LCMXO1200C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
5CGXFC7D6F27C7N
Intel
5SGSMD3E3H29I3LN
Intel
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP2SGX90FF1508C4
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel