casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Matrizes / FII40-06D
Número da peça de fabricante | FII40-06D |
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Número da peça futura | FT-FII40-06D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FII40-06D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40A |
Potência - Max | 125W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 25A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 600µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.6nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | i4-Pac™-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FII40-06D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FII40-06D-FT |
FII40-06D
IXYS
XCV200E-6FG256I
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
MPF300TS-FCG1152I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-3N
Intel
XC6VHX565T-1FFG1924C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA9F23C8N
Intel
EP20K60EBC356-1X
Intel
EP2S90F1020C3N
Intel