casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Matrizes / FII30-12E
Número da peça de fabricante | FII30-12E |
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Número da peça futura | FT-FII30-12E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FII30-12E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | NPT |
Configuração | Half Bridge |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1200V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 33A |
Potência - Max | 150W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 20A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 200µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 1.2nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | No |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | i4-Pac™-5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOPLUS i4-PAC™ |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FII30-12E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FII30-12E-FT |
FII40-06D
IXYS
XC3S400A-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
5SGXMA3K1F35C2LN
Intel
LFXP2-40E-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation