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Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1

Name: FF6MR12W2M1B11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF6MR12W2M1B11BOMA1
Price: 255.832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (803 reviews)

Número da peça MFG: FF6MR12W2M1B11BOMA1

Quantidade disponível: 39740 Peças

Preço de referência: USD 255.832

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: CoolSiC™ MOSFET MODULE 1200V 200A

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FF6MR12W2M1B11BOMA1.pdf

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FF6MR12W2M1B11BOMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	FF6MR12W2M1B11BOMA1
Número da peça futura	FT-FF6MR12W2M1B11BOMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	CoolSiC™
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Silicon Carbide (SiC)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.55V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	496nC @ 15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14700pF @ 800V
Potência - Max	20mW (Tc)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	AG-EASY2BM-2
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FF6MR12W2M1B11BOMA1-FT

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