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Microsemi Corporation APTM120VDA57T3G

Name: APTM120VDA57T3G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTM120VDA57T3G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (194 reviews)

Número da peça MFG: APTM120VDA57T3G

Quantidade disponível: 16260 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Microsemi Corporation

Descrição breve: POWER MOS 7® MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: APTM120VDA57T3G.pdf

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APTM120VDA57T3G Especificações

Número da peça de fabricante	APTM120VDA57T3G
Número da peça futura	FT-APTM120VDA57T3G
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	POWER MOS 7®
APTM120VDA57T3G Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Recurso FET	Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Potência - Max	390W
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Chassis Mount
Pacote / caso	SP3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	SP3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120VDA57T3G Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	APTM120VDA57T3G-FT

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