casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / FF1200R17KE3B2NOSA1
Número da peça de fabricante | FF1200R17KE3B2NOSA1 |
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Número da peça futura | FT-FF1200R17KE3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | * |
FF1200R17KE3B2NOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Configuração | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | - |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | - |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | - |
Corrente - corte de coletor (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | - |
Entrada | - |
Termistor NTC | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF1200R17KE3B2NOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FF1200R17KE3B2NOSA1-FT |
DDB6U180N16RR
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DDB6U30N08VRBOMA1
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DDB6U75N16W1RB11BOMA1
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DDB6U75N16W1RBOMA1
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DF1000R17IE4BOSA1
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2
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DF150R12RT4HOSA1
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A3P030-QNG68
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XC3S500E-4FG320I
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XC2V80-4FGG256C
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XC3090-100PQ208C
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A3P1000-2FG484
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M1A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQG208
Microsemi Corporation
5SEE9F45I3N
Intel
LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation