casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / DF1000R17IE4DB2BOSA1
Número da peça de fabricante | DF1000R17IE4DB2BOSA1 |
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Número da peça futura | FT-DF1000R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Configuração | Single |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 1700V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | - |
Potência - Max | 6250W |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 5mA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DF1000R17IE4DB2BOSA1-FT |
CM200HA-24H
Powerex Inc.
CM200RL-12NF
Powerex Inc.
CM200RX-12A
Powerex Inc.
CM200TU-12F
Powerex Inc.
CM200TU-12H
Powerex Inc.
CM20TF-12H
Powerex Inc.
CM20TF-24H
Powerex Inc.
CM225DX-24T
Powerex Inc.
CM300DU-12F
Powerex Inc.
CM300DU-12H
Powerex Inc.
LCMXO1200C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7N
Intel
5SEE9F45I2N
Intel
5SGXMA5N2F45I2LN
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E1F29E1HG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel
EP20K100EQI208-3
Intel
EPF10K30AQI208-3
Intel