casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / 20ETF12S
Número da peça de fabricante | 20ETF12S |
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Número da peça futura | FT-20ETF12S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
20ETF12S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 400ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
20ETF12S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 20ETF12S-FT |
VS-6TQ040STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel