casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / FEP16JT
Número da peça de fabricante | FEP16JT |
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Número da peça futura | FT-FEP16JT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FEP16JT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 16A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FEP16JT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FEP16JT-FT |
BAV 99T E6433
Infineon Technologies
BAW 56T E6327
Infineon Technologies
GDP24D060B
Global Power Technologies Group
GDP30D120B
Global Power Technologies Group
GDP60D120B
Global Power Technologies Group
GDP60Y120B
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GP2D030A120U
Global Power Technologies Group
RURG3060CC
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RHRG1560CC
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FFH30US30DN
ON Semiconductor
EP2C5T144C7
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LCMXO640E-3T100C
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XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
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EP3SL70F484C3N
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EP20K200CF484C7N
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5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation