casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / GDP30D120B
Número da peça de fabricante | GDP30D120B |
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Número da peça futura | FT-GDP30D120B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Amp+™ |
GDP30D120B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 135°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDP30D120B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GDP30D120B-FT |
DSA70C200HB
IXYS
DSP8-08A
IXYS
DSA80C100PB
IXYS
DSSK20-015A
IXYS
DHG10C600PB
IXYS
DHG20C1200PB
IXYS
DHG20C600PB
IXYS
DHG40C600PB
IXYS
DPG20C200PB
IXYS
DPG20C300PB
IXYS
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel