casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDMS3606AS
Número da peça de fabricante | FDMS3606AS |
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Número da peça futura | FT-FDMS3606AS |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDMS3606AS Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 13A, 27A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1695pF @ 15V |
Potência - Max | 1W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-PowerTDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Power56 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3606AS Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDMS3606AS-FT |
APTM50AM24SG
Microsemi Corporation
APTM20DUM04G
Microsemi Corporation
APTM20AM04FG
Microsemi Corporation
APTM120H29FG
Microsemi Corporation
APTM120H140FT1G
Microsemi Corporation
APTM120DU15G
Microsemi Corporation
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation
APTM10AM02FG
Microsemi Corporation
APTM100H18FG
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN030V2-ZUCG81I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1N
Intel
EPF10K200SFC672-2
Intel
EP3C5F256C7N
Intel
5SGXMA5N3F40C2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7N
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel