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Microsemi Corporation APTM120H29FG

Número da peça MFG
APTM120H29FG
Quantidade disponível
34520 Peças
Preço de referência
USD 179.90104
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
POWER MOS 7® MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
APTM120H29FG.pdf
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APTM120H29FG Especificações

Número da peça de fabricante APTM120H29FG
Número da peça futura FT-APTM120H29FG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series POWER MOS 7®
APTM120H29FG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Potência - Max 780W
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote / caso SP6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor SP6
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120H29FG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APTM120H29FG-FT

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