
| Número da peça de fabricante | FDH600 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-FDH600 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| FDH600 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Standard |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacitância @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
| Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FDH600 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | FDH600-FT |

1N4149_T50R
ON Semiconductor

1N4150
ON Semiconductor

1N4150TR_S00Z
ON Semiconductor

1N4150_S62Z
ON Semiconductor

1N4150_T26A
ON Semiconductor

1N4150_T50A
ON Semiconductor

1N4150_T50R
ON Semiconductor

1N4151_T50R
ON Semiconductor

1N4152
ON Semiconductor

1N4152TR
ON Semiconductor

A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation

M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation

10M50DCF256C7G
Intel

5SGXEA7N2F40C2N
Intel

EP3SE260H780I3
Intel

XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.

M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation

LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation

EP3C25F324C6
Intel

5SGXEA3H1F35C2N
Intel