Número da peça de fabricante | 1N4152 |
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Número da peça futura | FT-1N4152 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N4152 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Atual - Média Retificada (Io) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 20mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50nA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4152 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N4152-FT |
IDL02G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL04G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL06G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL08G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL10G65C5XUMA1
Infineon Technologies
IDL12G65C5XUMA1
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GB01SLT12-214
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GAP3SLT33-214
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GB01SLT06-214
GeneSiC Semiconductor
GB02SLT12-214
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XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
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AGL250V2-VQG100I
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EP4SGX290NF45C2
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5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
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LFE2M50SE-5FN484C
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LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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