casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / FDG6301N-F085P
Número da peça de fabricante | FDG6301N-F085P |
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Número da peça futura | FT-FDG6301N-F085P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
FDG6301N-F085P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Recurso FET | Logic Level Gate |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 25V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 220mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
Potência - Max | 300mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-70-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6301N-F085P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDG6301N-F085P-FT |
APTC90HM60T3G
Microsemi Corporation
APTC90TAM60TPG
Microsemi Corporation
APTJC120AM13VCT1AG
Microsemi Corporation
APTM100A12STG
Microsemi Corporation
APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation
APTM100DUM90G
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel