casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDG316P
Número da peça de fabricante | FDG316P |
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Número da peça futura | FT-FDG316P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDG316P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 750mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SC-88 (SC-70-6) |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG316P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDG316P-FT |
SPA11N60C3IN
Infineon Technologies
SPA11N60C3XKSA1
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SPA11N60CFDXKSA1
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